A、宜優(yōu)先采用加熱拌合水的方法提高拌合物溫度
B、應(yīng)先投入骨料和熱水進(jìn)行攪拌,然后再投入膠凝材料等共同攪拌
C、當(dāng)骨料不加熱時(shí),拌合水可加熱到60℃以上
D、拌合物的出料溫度不宜超過85℃
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A、生產(chǎn)使用的原材料應(yīng)與配合比設(shè)計(jì)一致
B、砼拌合物性能應(yīng)滿足施工要求
C、砼強(qiáng)度評(píng)定應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求
D、砼耐久性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求
A、速凝
B、離析
C、泌水
D、蠕動(dòng)
A、砼拌合物應(yīng)在滿足施工要求的前提下,盡可能采用較小的坍落度
B、泵送高強(qiáng)砼的坍落擴(kuò)展度不宜小于500mm
C、自密實(shí)砼的坍落擴(kuò)展度不宜小于600mm
D、泵送砼拌合物的坍落度經(jīng)時(shí)損失不宜大于30mm/h
A、砼拌合用水必須達(dá)到飲用水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
B、砼拌合用水不得使用低于5℃的深井水
C、未經(jīng)處理的海水嚴(yán)禁用于鋼筋砼和預(yù)應(yīng)力砼
D、當(dāng)骨料具有堿活性時(shí),砼拌合用水不得采用砼企業(yè)生產(chǎn)設(shè)備洗漱水
A、pH值
B、水泥凝結(jié)時(shí)間差
C、氯離子含量
D、可溶物含量
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()