多項選擇題以下選項屬于砼拌合用水主要質量控制指標的有()。
A、pH值
B、水泥凝結時間差
C、氯離子含量
D、可溶物含量
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1.多項選擇題外加劑在砼中的應用常應遵循()。
A、外加劑應與水泥具有良好的適應性,其種類和摻量應經試驗確定
B、外加劑中的氯離子和堿含量應滿足砼設計要求
C、大體積砼宜采用緩凝劑或緩凝減水劑
D、宜采用液態(tài)外加劑
2.多項選擇題活性礦物摻合料在砼中的應用常應遵循()。
A、砼宜采用硅酸鹽和普通硅酸鹽水泥
B、礦物摻合料的種類和摻量應經試驗確定
C、不得同時摻用兩種或兩種以上的礦物摻合料
D、宜與高效減水劑同時使用
3.多項選擇題硅灰作為砼活性摻合料應控制的主要質量指標包括()。
A、二氧化硅含量
B、比表面積
C、游離氧化鈣含量
D、三氧化硫含量
4.多項選擇題以下選項材料中,常用來作為砼活性礦物摻合料的有()。
A、爐渣
B、硅灰
C、磨細石灰石粉
D、?;郀t礦渣粉
5.多項選擇題砼質量控制時,人工砂質量主要控制項目除顆粒級配、細度模數、含泥量、泥塊含量、堅固性等指標外,尚應包括()指標。
A、石粉含量
B、氯離子含量
C、有害物質含量
D、壓碎指標值
最新試題
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題