給定器件結(jié)構(gòu)和摻雜分布,采用數(shù)值方法直接求解器件的基本方程,得到直流(DC.、交流(AC.、瞬態(tài)特性和某些電學參數(shù)))。
A.系統(tǒng)功能設(shè)計B.邏輯和電路設(shè)計C.版圖設(shè)計
最新試題
新的平坦化方法有哪幾個?()
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物?()
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
金屬化中可選用的金屬材料有()。
進行光刻工藝前的清洗步驟是()。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)?()
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
光刻工藝對準誤差包括()。
消除鳥嘴效應的方法有()。