CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。