碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。