IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

常壓的硅外延方法有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。