互連工藝中AL的制備可選用（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

常壓的硅外延方法有（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

光刻工藝對準誤差包括（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。