多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

如下哪個選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。