封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝對準誤差包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）