在半導(dǎo)體中加入微量的其他元素的原子,可以改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力和導(dǎo)電類型。
當MOSFET進入飽和區(qū)時有效溝道長度隨漏源電壓的變化而變化,從而漏電流略有增加。