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填空題擴(kuò)散是物質(zhì)的一個(gè)基本性質(zhì)，描述了（）的情況。其發(fā)生有兩個(gè)必要條件（）和（）。

1.填空題雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種，分別是（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散。雜質(zhì)只有在成為硅晶格結(jié)構(gòu)的一部分，即（），才有助于形成半導(dǎo)體硅。

2.填空題擴(kuò)散是物質(zhì)的一個(gè)基本性質(zhì)，分為三種形態(tài)（）擴(kuò)散、（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散。

3.填空題刻蝕剖面指的是（），有兩種基本的刻蝕剖面（）刻蝕剖面和（）刻蝕剖面。

4.填空題刻蝕是用（）或（）有選擇地從硅片表面去除不需要材料的工藝過程，其基本目標(biāo)是（）。

5.填空題隨著銅布線中大馬士革工藝的引入，金屬化工藝變成刻蝕（）以形成一個(gè)凹槽，然后淀積（）來覆蓋其上的圖形，再利用（）把銅平坦化至ILD的高度。