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高阻襯底材料上生長(zhǎng)低阻外延層的工藝稱為正向外延。
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判斷題
CVD是利用某種物理過(guò)程,例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移,即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底(硅)表面上,并淀積成薄膜。
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快速熱處理是一種小型的快速加熱系統(tǒng),帶有輻射熱和冷卻源,通常一次處理一片硅片。
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