編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。