集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。