設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

由硅片生產的半導體產品，又被稱為（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據是什么？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。