硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

什么是MOS器件的體效應？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

集成電容主要有幾種結構？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？