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不正確的刻蝕將導(dǎo)致硅片報(bào)廢,給硅片制造公司帶來(lái)?yè)p失。
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干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法,濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下刻蝕器件,例如大于3微米。
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各向異性的刻蝕剖面是在所有方向上(橫向和垂直方向)以相同的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕。
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