半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

20世紀上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？