20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。