判斷題CD越小,源漏結(jié)的摻雜區(qū)越深。
您可能感興趣的試卷
最新試題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型:問答題
把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程,稱作()。生長后的單晶硅被稱為()。
題型:單項選擇題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:單項選擇題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項選擇題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
題型:問答題
目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些?
題型:問答題
從設(shè)計的觀點出發(fā),版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:問答題
BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
題型:多項選擇題
集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
題型:多項選擇題