判斷題擴(kuò)散率越大，雜質(zhì)在硅片中的移動(dòng)速度就越大。
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最新試題
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱(chēng)作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類(lèi)（）。
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晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
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根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
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版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
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比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
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為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
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在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫(huà)出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
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在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}