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硅中的雜質(zhì)只有一部分被真正激活,并提供用于導(dǎo)電的電子或空穴(大約3%~5%),大多數(shù)雜質(zhì)仍然處在間隙位置,沒(méi)有被電學(xué)激活。
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擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是各向同性的。
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擴(kuò)散率越大,雜質(zhì)在硅片中的移動(dòng)速度就越大。
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