根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

MOS器件存在哪些二階效應？

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

集成電容主要有幾種結構？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅(qū)動能力。