利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？