問(wèn)答題簡(jiǎn)述離子注入工藝中退火的主要作用？
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1.問(wèn)答題擴(kuò)散摻雜與離子注入摻雜所形成的雜質(zhì)濃度分布各自的特點(diǎn)是什么？與擴(kuò)散摻雜相比離子注入摻雜的優(yōu)勢(shì)與缺點(diǎn)各是什么？
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述兩步擴(kuò)散的含義與目的？
3.名詞解釋保形覆蓋
4.名詞解釋橫向擴(kuò)散
5.名詞解釋恒定表面源擴(kuò)散
最新試題
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？
題型：?jiǎn)柎痤}
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類(lèi)（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：?jiǎn)柎痤}
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：?jiǎn)柎痤}
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱(chēng)作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。
題型：多項(xiàng)選擇題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}