半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

根據圖，給出M2管的漏極電流表達式。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

MOS器件存在哪些二階效應？