A.外墻轉角
B.樓梯間四角
C.縱橫墻交接處
D.窗間墻
E.離墻角400mm處
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A、使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時,應測量3次,并應取其平均值
B、開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
C、槽的四周應清理平整,并應除去灰渣
D、不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
A、未能取得同條件養(yǎng)護試件強度
B、同條件養(yǎng)護試件強度被判為不合格
C、現(xiàn)場混凝土結構構件未按規(guī)定養(yǎng)護
D、鋼筋保護層厚度不滿足要求
A.在選擇切割線時,宜選取豎向灰縫上、下對齊的部位
B.應在擬切制試件上、下兩端各鉆2孔,并應將擬切制試件捆綁牢固
C.應將切割機的鋸片(鋸條)對準切割線,并垂直于墻面,然后應啟動切割機,并應在磚墻上切出兩條豎縫
D.切割過程中,切割機不得偏轉和移位,并應使鋸片(鋸條)處于連續(xù)水冷卻狀態(tài)
E.應在擬切制試件上、下兩端各鉆4孔,并應將擬切制試件捆綁牢固
A.機架應有足夠的強度、剛度、穩(wěn)定性
B.切割機應操作靈活,并應固定和移動方便
C.切割機的鋸切深度不應小于240mm
D.切割機宜配備水冷卻系統(tǒng)
E.切割機的鋸切深度不應小于370mm
A.扁頂法
B.回彈法
C.原位軸壓法
D.筒壓法
E.切制抗壓試件法
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。