A、塊體與砂漿的強度等級
B、砌塊的尺寸和形狀
C、砌體的外觀
D、砂漿的流動性、保水性及彈性模量的影響
E、砌筑質(zhì)量與灰縫的厚度
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A、高強度
B、低收縮
C、慢硬、晚強
D、除變小
A.試件兩端的灰縫應清理干凈
B.開鑿清理過程中,嚴禁擾動試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動現(xiàn)象時,應舍去該試件
D.被推磚的承壓面應平整,不平時應用扁砂輪等工具磨平
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體
C.獨立磚柱
D.完整墻體中部
A.洞口側(cè)邊距丁字相交的墻角不小于200mm
B.洞口凈寬度不應超過lm
C.洞口頂宜設置過梁
D.洞口側(cè)邊設置拉結(jié)筋
E.在抗震設防9度的地區(qū),必須與設計協(xié)商
A.測區(qū)應隨機布置n個測點,對原位單磚雙剪法,在墻體兩面的測點數(shù)量宜接近或相等
B.同一墻體的各測點之間,水平方向凈距不應小于1.5m,垂直方向凈距不應小于0.5m,且不應在同一水平位置或縱向位置
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應為8mm~12mm
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列是晶體的是()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。