CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）