問答題

【計算題】300K時，鍺的本征電阻率為47Ω.cm，如電子空求本征鍺的載流子濃度分別為3900cm²/V.s和1900cm²/V.s，求本征鍺的載流子濃度。

答案：

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【計算題】設硅中施主雜質(zhì)電離能ΔE_D=0.04eV，施主雜質(zhì)濃度N_D=10¹⁶/cm³，以施主雜質(zhì)電離90%作為達到強電離的最低標準，試計算保持飽和雜質(zhì)電離的溫度范圍。

答案：

【計算題】設鍺中施主雜質(zhì)的電離能ΔE_D=0.01eV，在室溫下導帶底有效狀態(tài)密度N_c=1.04×10¹⁹/cm³，若以施主雜質(zhì)電離90%作為電離的標準，試計算在室溫（T=300K）時保持雜質(zhì)飽和電離的施主雜質(zhì)濃度范圍。

答案：

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