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問答題300K時，鍺的本征電阻率為47Ω.cm，如電子空求本征鍺的載流子濃度分別為3900cm²/V.s和1900cm²/V.s，求本征鍺的載流子濃度。

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1.問答題設(shè)硅中施主雜質(zhì)電離能ΔE_D=0.04eV，施主雜質(zhì)濃度N_D=10¹⁶/cm³，以施主雜質(zhì)電離90%作為達到強電離的最低標準，試計算保持飽和雜質(zhì)電離的溫度范圍。

2.問答題設(shè)鍺中施主雜質(zhì)的電離能ΔE_D=0.01eV，在室溫下導帶底有效狀態(tài)密度N_c=1.04×10¹⁹/cm³，若以施主雜質(zhì)電離90%作為電離的標準，試計算在室溫（T=300K）時保持雜質(zhì)飽和電離的施主雜質(zhì)濃度范圍。

參考答案：

3.問答題一硅半導體含有施主雜質(zhì)濃度N_D=9×10¹⁵/cm³，和受主雜質(zhì)濃度N_A=1.1×10¹⁶/cm³，求在T=300K時（n_i=1.3×10¹⁰/cm³）的電子空穴濃度以及費米載流了濃度。

參考答案：

4.問答題一塊n型硅材料，摻有施主濃度N_D=1.5×10¹⁵/cm³，在室溫（T=300K）時本征載流濃度n_i=1.3×10¹²/cm³，求此時該塊半導體的多數(shù)載流子濃度和少數(shù)載流子濃度。

參考答案：

5.問答題 本征半導體中，從價帶激發(fā)至導帶的電子和價帶產(chǎn)生的空穴參與電導。激發(fā)的電子數(shù)n可近似表示為：，式中N為狀態(tài)密度，k為波爾茲曼常數(shù)，T為絕對溫度。試回答以下問題：
（1）設(shè)N=10²³cm^-3，k=8.6″×10^-5eV.K^-1時， Si（Eg=1.1eV），TiO₂（Eg=3.0eV）在室溫（20℃）和500℃時所激發(fā)的電子數(shù)（cm^-3）各是多少？
（2）半導體的電導率σ（Ω^-1.cm^-1）可表示為，式中n為載流子濃度（cm^-3），e為載流子電荷（電荷1.6×10^-19C），μ為遷移率（cm².V^-1.s^-1）當電子（e）和空穴（h）同時為載流子時，
假定Si的遷移率μe=1450（cm².V^-1.s^-1），μ_h=500（cm².V^-1.s^-1），且不隨溫度變化。求Si在室溫（20℃）和500℃時的電導率。

參考答案：