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問答題
【計算題】設硅中施主雜質(zhì)電離能ΔE
D
=0.04eV，施主雜質(zhì)濃度N
D
=10
16
/cm
3
，以施主雜質(zhì)電離90%作為達到強電離的最低標準，試計算保持飽和雜質(zhì)電離的溫度范圍。
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問答題
【計算題】設鍺中施主雜質(zhì)的電離能ΔE
D
=0.01eV，在室溫下導帶底有效狀態(tài)密度N
c
=1.04×10
19
/cm
3
，若以施主雜質(zhì)電離90%作為電離的標準，試計算在室溫（T=300K）時保持雜質(zhì)飽和電離的施主雜質(zhì)濃度范圍。
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問答題
【計算題】一硅半導體含有施主雜質(zhì)濃度N
D
=9×10
15
/cm
3
，和受主雜質(zhì)濃度N
A
=1.1×10
16
/cm
3
，求在T=300K時（n
i
=1.3×10
10
/cm
3
）的電子空穴濃度以及費米載流了濃度。
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