本征半導(dǎo)體中，從價(jià)帶激發(fā)至導(dǎo)帶的電子和價(jià)帶產(chǎn)生的空穴參與電導(dǎo)。激發(fā)的電子數(shù)n可近似表示為：，式中N為狀態(tài)密度，k為波爾茲曼常數(shù)，T為絕對溫度。試回答以下問題： 
（1）設(shè)N=10²³cm^-3，k=8.6″×10^-5eV.K^-1時， Si（Eg=1.1eV），TiO₂（Eg=3.0eV）在室溫（20℃）和500℃時所激發(fā)的電子數(shù)（cm^-3）各是多少？
（2）半導(dǎo)體的電導(dǎo)率σ（Ω^-1.cm^-1）可表示為，式中n為載流子濃度（cm^-3），e為載流子電荷（電荷1.6×10^-19C），μ為遷移率（cm².V^-1.s^-1）當(dāng)電子（e）和空穴（h）同時為載流子時，
假定Si的遷移率μe=1450（cm².V^-1.s^-1），μ_h=500（cm².V^-1.s^-1），且不隨溫度變化。求Si在室溫（20℃）和500℃時的電導(dǎo)率。

根據(jù)缺陷化學(xué)原理推導(dǎo)
（1）ZnO電導(dǎo)率與氧分壓的關(guān)系。 
（2）在具有陰離子空位TiO_2-x非化學(xué)計(jì)量化合物中，其電導(dǎo)率與氧分壓的關(guān)系。 
（3）在具有陽離子空位Fe_1-xO非化學(xué)計(jì)量化合物中，其電導(dǎo)率與氧分壓的關(guān)系。 
（4）討論添加Al₂O₃對NiO電導(dǎo)率的影響。

實(shí)驗(yàn)測出離子型電導(dǎo)體的電導(dǎo)率與溫度的相關(guān)數(shù)據(jù)，經(jīng)數(shù)學(xué)回歸分析得出關(guān)系式為：
（1）試求在測量溫度范圍內(nèi)的電導(dǎo)活化能表達(dá)式。
（2）若給定
計(jì)算電導(dǎo)活化能的值。