單項(xiàng)選擇題直拉單晶中氧含量頭部和尾部相比（）。
A.較高
B.相同
C.較低
D.無法判斷
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1.單項(xiàng)選擇題X射線定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi)，準(zhǔn)確度高。（）
A.±10＇
B.±15＇
C.±20＇
D.±30＇
2.單項(xiàng)選擇題下列哪一項(xiàng)不是天然水的三大雜質(zhì)？（）
A.懸浮物質(zhì)
B.揮發(fā)物質(zhì)
C.膠體物質(zhì)
D.溶解物質(zhì)
3.單項(xiàng)選擇題失效表明離子交換樹脂可供交換的（）大為減少。
A.Cｌ¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
4.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔法檢驗(yàn)多晶硅中基磷含量時(shí)，采用快速區(qū)熔法的工藝時(shí)，第一次區(qū)熔時(shí)，第一區(qū)熔區(qū)停留揮發(fā)時(shí)間（）左右。
A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ
5.單項(xiàng)選擇題光圖定向法結(jié)果直觀，操作（），誤差（）。
A．簡單較大
B．復(fù)雜較大
C．簡單較小
D．復(fù)雜較小
最新試題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型：填空題