問(wèn)答題產(chǎn)生紅外吸收的條件是什么？
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1.問(wèn)答題伸縮振動(dòng)與彎曲振動(dòng)的頻率哪個(gè)高？
2.問(wèn)答題影響譜帶（位移）的因素有哪些？說(shuō)明其影響規(guī)律和原因？
3.問(wèn)答題什么是色相色譜法？
4.單項(xiàng)選擇題直拉單晶中氧含量頭部和尾部相比（）。
A.較高
B.相同
C.較低
D.無(wú)法判斷
5.單項(xiàng)選擇題X射線定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi)，準(zhǔn)確度高。（）
A.±10＇
B.±15＇
C.±20＇
D.±30＇
最新試題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題