半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。