單項選擇題參雜硼元素的半導體是（）.
A.p型半導體
B.本征半導體
C.N型半導體
D.pn結(jié)
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1.單項選擇題下列不屬于三氯氫硅性質(zhì)的是（）。
A、無色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
2.單項選擇題下列不屬于工業(yè)吸附要求的是（）。
A.具有較大的內(nèi)表面，吸附容量大
B.具有一定的機械強度，耐熱沖擊，耐腐蝕
C.不易得，昂貴
D.容易再生
3.單項選擇題下列與硼氧復合體缺陷無關的是（）。
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
4.單項選擇題盡量提高晶轉(zhuǎn)可以改善晶體中雜質(zhì)分布的徑向均勻性，如果晶轉(zhuǎn)過高，會導致固液界面的形狀（）。
A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過于平整
D、無變化
5.單項選擇題通過（）改變驅(qū)動力場，借以控制生長系統(tǒng)中的成核率，這是晶體生長工藝中經(jīng)常使用的方法。
A、溫度場
B、磁場
C、重力場
D、電場
最新試題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型：判斷題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型：判斷題
半導體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題