單項選擇題在晶體凝固過程中，存在溫度梯度的是（）.
A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分
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1.單項選擇題硅元素的原子序數(shù)是（）.
A.13
B.14
C.15
D.16
2.單項選擇題以下哪一種屬于金剛石結(jié)構(gòu)（）.
A.Si
B.Cu
C.Fe
D.Al
3.單項選擇題半導(dǎo)體工業(yè)所用的硅單晶（）是用CZ法生長的。
A.70%
B.80%
C.90%
D.60%
4.單項選擇題下列屬于單晶硅片的一般形狀（）.
A.方形
B.三角形
C.橢圓形
D.梯形
5.單項選擇題下列不屬于非晶硅優(yōu)點的是（）.
A.制備方法簡單
B.工藝成本低
C.制備溫度高
D.可大面積制備
最新試題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。
題型：填空題
實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題