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問答題
【簡(jiǎn)答題】耗盡型負(fù)載nMOS反相器相比于增強(qiáng)型負(fù)載nMOS反相器有哪些好處？
答案：
耗盡型負(fù)載nMOS反相器的制造工藝更加復(fù)雜，但可以有陡峭的VTC過渡和更好的噪聲容限，并且是單電源供電，整體的版圖面積也...
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問答題
【簡(jiǎn)答題】采用MOSFET作為nMOS反相器的負(fù)載器件有哪些優(yōu)點(diǎn)？
答案：
采用負(fù)載電阻會(huì)占用大量的芯片面積，而晶體管占用的硅片面積通常比負(fù)載電阻小，并且有源負(fù)載反相器電路比無(wú)源負(fù)載反相器有更好的...
問答題
【簡(jiǎn)答題】為什么MOS晶體管會(huì)存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分（不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)）？
答案：
晶體管開通后，其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當(dāng)漏源電壓很小時(shí)，隨著漏源電壓的值的增大，溝道內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度增加，電流隨之增大，...
