描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

描述電子回旋共振（ECR）。

解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。

解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工作的？掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問題？

定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？