刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。