對于輸出單元中的隔離環(huán)結(jié)構(gòu),說法不正確的是()。
A.隔離環(huán)中設計了良好的電源、地接觸
B.防止觸發(fā)CMOS結(jié)構(gòu)的寄生可控硅效應燒毀電路
C.版圖采用了多柵并聯(lián)結(jié)構(gòu),源漏區(qū)的金屬引線設計成叉指狀結(jié)構(gòu)
D.PMOS管的尺寸比NMOS管小,這樣可使倒相器的輸出波形對稱
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A.對內(nèi)提供內(nèi)外的隔離和輸入保護功能
B.連接芯片內(nèi)部與芯片外部系統(tǒng)(壓焊塊)
C.對外的驅(qū)動
D.大部分I/O PAD都不是以標準單元的結(jié)構(gòu)形式出現(xiàn)
下面版圖對應的邏輯表達式是()。
A.(A+B)*(C+D)
B.
C.
D.A*B+C*D
下圖所對應的兩種情況,敘述正確的是()。
A.情況b:M3和M4同時不導通
B.情況a:M3和M4同時導通
C.情況a:M3或M4導通
D.情況b:M3和M4同時導通
?下圖是一條典型的路徑,起始端為兩個觸發(fā)器,中間為組合邏輯。對寄存器R2來講,時序上必須滿足保持時間的要求。原因是什么?()
A.為了讓R2的數(shù)據(jù)傳給下一級的數(shù)據(jù)不被提早傳遞過來的數(shù)據(jù)沖掉,產(chǎn)生冒險
B.為了讓R2的數(shù)據(jù)能正確的傳遞給下一個周期
C.為了讓觸發(fā)器R2在時鐘翻轉(zhuǎn)之前數(shù)據(jù)保存有效
D.為了讓R1的數(shù)據(jù)能在一個周期內(nèi)通過組合邏輯傳遞給R2
寄存器的維持時間thold必須小于通過邏輯網(wǎng)絡的最小傳播延時。其中寄存器的最小延時為tc-q,cd,最大傳播延時為tc-q,組合邏輯的最小延時tlogic,cd,最大傳播延時為tlogic,那么thold必須滿足()。
A.thold < tc-q +tlogic
B.thold < tc-q,cd +tlogic,cd
C.thold >tc-q +tlogic
D.thold >tc-q,cd +tlogic,cd
最新試題
塑封料的機械性能包括的模量有()。
下面關于BGA的特點,說法錯誤的是()。
下面關于PBGA器件的優(yōu)缺點,說法錯誤的是()。
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
凸點的制作技術(shù)有()。
鍵合點根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導致熱應力疲勞。
鍵合工藝失效,,鍵合點尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
下列關于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點,說法正確的是()。
倒裝芯片的連接方式有()。
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。