寄存器的維持時(shí)間thold必須小于通過(guò)邏輯網(wǎng)絡(luò)的最小傳播延時(shí)。其中寄存器的最小延時(shí)為tc-q,cd,最大傳播延時(shí)為tc-q,組合邏輯的最小延時(shí)tlogic,cd,最大傳播延時(shí)為tlogic,那么thold必須滿足()。
A.thold < tc-q +tlogic
B.thold < tc-q,cd +tlogic,cd
C.thold >tc-q +tlogic
D.thold >tc-q,cd +tlogic,cd
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?下圖最小時(shí)鐘周期是多少?()
A.T=TClk-Q +TCOMB +TSU +δ
B.T=TClk-Q +TCOMB +TSU +2TJI –δ
C.T=TClk-Q +TCOMB +TSU +2TJI +δ
D.T=TClk-Q +TCOMB +TSU –δ
?假設(shè)tpd_inv是反相器延時(shí),tpd_t是傳輸門延時(shí),所有反相器延時(shí),傳輸門延時(shí)相同,那么上圖傳輸門主從(Master-Slave)邊沿觸發(fā)寄存器的建立時(shí)間()。
A.tsetup=1*tpd_inv +tpd_t
B.tsetup=3*tpd_inv +tpd_t
C.tsetup=4*tpd_inv +tpd_t
D.tsetup=2*tpd_inv +tpd_t
?圖a和圖b相比,下面說(shuō)法正確的是()。
A.圖a面積大,性能高;圖b面積小,性能低
B.圖a面積大,性能低;圖b面積小,性能高
C.圖a面積小,性能低;圖b面積大,性能高
D.圖a面積小,性能高;圖b面積大,性能低
A.前一個(gè)上升沿滯后,后一個(gè)上升沿滯后
B.前一個(gè)上升沿提前,后一個(gè)上升沿滯后
C.前一個(gè)上升沿滯后,后一個(gè)上升沿提前
D.前一個(gè)上升沿提前,后一個(gè)上升沿提前
A.降低寄存器保持時(shí)間
B.降低寄存器建立時(shí)間
C.降低寄存器輸出時(shí)間
D.降低組合邏輯延時(shí)
最新試題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是()。
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來(lái)到大眾視線
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
引線鍵合的參數(shù)主要包括()。