單項(xiàng)選擇題下面哪種情況是沿觸發(fā)系統(tǒng)最差情況？（）

A.前一個(gè)上升沿滯后，后一個(gè)上升沿滯后
B.前一個(gè)上升沿提前，后一個(gè)上升沿滯后
C.前一個(gè)上升沿滯后，后一個(gè)上升沿提前
D.前一個(gè)上升沿提前，后一個(gè)上升沿提前


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1.單項(xiàng)選擇題?下面哪種方法不能提高系統(tǒng)主頻？（）

A.降低寄存器保持時(shí)間
B.降低寄存器建立時(shí)間
C.降低寄存器輸出時(shí)間
D.降低組合邏輯延時(shí)

2.單項(xiàng)選擇題

寫出圖中所示電路的邏輯表達(dá)式（）。

A.F=ABCD+E；
B.F=
C.F=ABCDE
D.F=

4.單項(xiàng)選擇題?下列哪個(gè)選項(xiàng)不屬于設(shè)計(jì)與工藝接口？（）

A.工藝抽象
B.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則
C.工藝檢查與監(jiān)控
D.電學(xué)設(shè)計(jì)規(guī)

5.單項(xiàng)選擇題?重要參數(shù)閾值電壓由很多因素決定，下列哪個(gè)不包含在內(nèi)？（）

A.多晶硅與襯底的功函數(shù)差
B.氧化層厚度
C.柵極電壓
D.襯底摻雜濃度