單項(xiàng)選擇題?下面哪種方法不能提高系統(tǒng)主頻？（）
A.降低寄存器保持時(shí)間
B.降低寄存器建立時(shí)間
C.降低寄存器輸出時(shí)間
D.降低組合邏輯延時(shí)
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1.單項(xiàng)選擇題
寫出圖中所示電路的邏輯表達(dá)式（）。
A.F=ABCD+E；
B.F=
C.F=ABCDE
D.F=
2.單項(xiàng)選擇題
下圖對(duì)應(yīng)的邏輯表達(dá)式是（）。
A.
B.
C.
D.
3.單項(xiàng)選擇題?下列哪個(gè)選項(xiàng)不屬于設(shè)計(jì)與工藝接口？（）
A.工藝抽象
B.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則
C.工藝檢查與監(jiān)控
D.電學(xué)設(shè)計(jì)規(guī)
4.單項(xiàng)選擇題?重要參數(shù)閾值電壓由很多因素決定，下列哪個(gè)不包含在內(nèi)？（）
A.多晶硅與襯底的功函數(shù)差
B.氧化層厚度
C.柵極電壓
D.襯底摻雜濃度
5.單項(xiàng)選擇題以下哪個(gè)條件是線性區(qū)的條件？（）
A.
B.
C.
D.
最新試題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對(duì)設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項(xiàng)選擇題