單項選擇題?重要參數(shù)閾值電壓由很多因素決定，下列哪個不包含在內(nèi)？（）
A.多晶硅與襯底的功函數(shù)差
B.氧化層厚度
C.柵極電壓
D.襯底摻雜濃度
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1.單項選擇題以下哪個條件是線性區(qū)的條件？（）
A.
B.
C.
D.
2.單項選擇題下面哪個圖是增強型NMOS轉(zhuǎn)移特性曲線？（）
A.
B.
C.
D.
3.單項選擇題摩爾定律將遇到前所未有的挑戰(zhàn)，挑戰(zhàn)不包含哪個？（）
A.功耗密度持續(xù)提高、散熱無法解決
B.計算密度增加、工作功耗密度和漏電功耗密度大幅度增長
C.互連延時降低，互連能耗減小
D.工藝復(fù)雜，成本降低難以持續(xù)
最新試題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：單項選擇題
下列對焊接可靠性無影響的是（）。
題型：單項選擇題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
題型：判斷題
鍵合點根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進行有效的切除。
題型：判斷題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。
題型：單項選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題