單項選擇題下面哪個圖是增強型NMOS轉(zhuǎn)移特性曲線？（）
A.
B.
C.
D.
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1.單項選擇題摩爾定律將遇到前所未有的挑戰(zhàn)，挑戰(zhàn)不包含哪個？（）
A.功耗密度持續(xù)提高、散熱無法解決
B.計算密度增加、工作功耗密度和漏電功耗密度大幅度增長
C.互連延時降低，互連能耗減小
D.工藝復(fù)雜，成本降低難以持續(xù)
最新試題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：單項選擇題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項選擇題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個工序，而倒裝芯片則合二為一。
題型：判斷題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
塑封料的機械性能包括的模量有（）。
題型：多項選擇題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點，說法正確的是（）。
題型：多項選擇題
凸點的制作技術(shù)有（）。
題型：多項選擇題