單項(xiàng)選擇題
下圖對應(yīng)的邏輯表達(dá)式是（）。
A.
B.
C.
D.
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1.單項(xiàng)選擇題?下列哪個(gè)選項(xiàng)不屬于設(shè)計(jì)與工藝接口？（）
A.工藝抽象
B.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則
C.工藝檢查與監(jiān)控
D.電學(xué)設(shè)計(jì)規(guī)
2.單項(xiàng)選擇題?重要參數(shù)閾值電壓由很多因素決定，下列哪個(gè)不包含在內(nèi)？（）
A.多晶硅與襯底的功函數(shù)差
B.氧化層厚度
C.柵極電壓
D.襯底摻雜濃度
3.單項(xiàng)選擇題以下哪個(gè)條件是線性區(qū)的條件？（）
A.
B.
C.
D.
4.單項(xiàng)選擇題下面哪個(gè)圖是增強(qiáng)型NMOS轉(zhuǎn)移特性曲線？（）
A.
B.
C.
D.
5.單項(xiàng)選擇題摩爾定律將遇到前所未有的挑戰(zhàn)，挑戰(zhàn)不包含哪個(gè)？（）
A.功耗密度持續(xù)提高、散熱無法解決
B.計(jì)算密度增加、工作功耗密度和漏電功耗密度大幅度增長
C.互連延時(shí)降低，互連能耗減小
D.工藝復(fù)雜，成本降低難以持續(xù)
最新試題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列對焊接可靠性無影響的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題