單項(xiàng)選擇題?下列哪個(gè)選項(xiàng)不屬于設(shè)計(jì)與工藝接口?()
A.工藝抽象
B.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則
C.工藝檢查與監(jiān)控
D.電學(xué)設(shè)計(jì)規(guī)
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1.單項(xiàng)選擇題?重要參數(shù)閾值電壓由很多因素決定,下列哪個(gè)不包含在內(nèi)?()
A.多晶硅與襯底的功函數(shù)差
B.氧化層厚度
C.柵極電壓
D.襯底摻雜濃度
2.單項(xiàng)選擇題以下哪個(gè)條件是線性區(qū)的條件?()
A.
B.
C.
D.
3.單項(xiàng)選擇題下面哪個(gè)圖是增強(qiáng)型NMOS轉(zhuǎn)移特性曲線?()
A.
B.
C.
D.
4.單項(xiàng)選擇題摩爾定律將遇到前所未有的挑戰(zhàn),挑戰(zhàn)不包含哪個(gè)?()
A.功耗密度持續(xù)提高、散熱無(wú)法解決
B.計(jì)算密度增加、工作功耗密度和漏電功耗密度大幅度增長(zhǎng)
C.互連延時(shí)降低,互連能耗減小
D.工藝復(fù)雜,成本降低難以持續(xù)
最新試題
鍵合常用的劈刀形狀,下列說(shuō)法正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型:判斷題
載帶自動(dòng)焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
題型:判斷題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
AUBM的形成可以采用()方法。
題型:多項(xiàng)選擇題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高,且其封裝外形尺寸較小,寄生參數(shù)減小,故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型:判斷題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
以下不屬于打碼目的的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題