?假設(shè)tpd_inv是反相器延時(shí),tpd_t是傳輸門延時(shí),所有反相器延時(shí),傳輸門延時(shí)相同,那么上圖傳輸門主從(Master-Slave)邊沿觸發(fā)寄存器的建立時(shí)間()。
A.tsetup=1*tpd_inv +tpd_t
B.tsetup=3*tpd_inv +tpd_t
C.tsetup=4*tpd_inv +tpd_t
D.tsetup=2*tpd_inv +tpd_t
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?圖a和圖b相比,下面說(shuō)法正確的是()。
A.圖a面積大,性能高;圖b面積小,性能低
B.圖a面積大,性能低;圖b面積小,性能高
C.圖a面積小,性能低;圖b面積大,性能高
D.圖a面積小,性能高;圖b面積大,性能低
A.前一個(gè)上升沿滯后,后一個(gè)上升沿滯后
B.前一個(gè)上升沿提前,后一個(gè)上升沿滯后
C.前一個(gè)上升沿滯后,后一個(gè)上升沿提前
D.前一個(gè)上升沿提前,后一個(gè)上升沿提前
A.降低寄存器保持時(shí)間
B.降低寄存器建立時(shí)間
C.降低寄存器輸出時(shí)間
D.降低組合邏輯延時(shí)
寫(xiě)出圖中所示電路的邏輯表達(dá)式()。
A.F=ABCD+E;
B.F=
C.F=ABCDE
D.F=
下圖對(duì)應(yīng)的邏輯表達(dá)式是()。
A.
B.
C.
D.
最新試題
鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
以下不屬于打碼目的的是()。
下列屬于BGAA形式的是()。
電子封裝是指對(duì)電路芯片進(jìn)行包裝,進(jìn)而保護(hù)電路芯片,以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來(lái)到大眾視線
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。