單項(xiàng)選擇題
?圖a和圖b相比，下面說法正確的是（）。
A.圖a面積大，性能高；圖b面積小，性能低
B.圖a面積大，性能低；圖b面積小，性能高
C.圖a面積小，性能低；圖b面積大，性能高
D.圖a面積小，性能高；圖b面積大，性能低
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1.單項(xiàng)選擇題下面哪種情況是沿觸發(fā)系統(tǒng)最差情況？（）
A.前一個上升沿滯后，后一個上升沿滯后
B.前一個上升沿提前，后一個上升沿滯后
C.前一個上升沿滯后，后一個上升沿提前
D.前一個上升沿提前，后一個上升沿提前
2.單項(xiàng)選擇題?下面哪種方法不能提高系統(tǒng)主頻？（）
A.降低寄存器保持時間
B.降低寄存器建立時間
C.降低寄存器輸出時間
D.降低組合邏輯延時
3.單項(xiàng)選擇題
寫出圖中所示電路的邏輯表達(dá)式（）。
A.F=ABCD+E；
B.F=
C.F=ABCDE
D.F=
4.單項(xiàng)選擇題
下圖對應(yīng)的邏輯表達(dá)式是（）。
A.
B.
C.
D.
5.單項(xiàng)選擇題?下列哪個選項(xiàng)不屬于設(shè)計與工藝接口？（）
A.工藝抽象
B.幾何設(shè)計規(guī)則
C.工藝檢查與監(jiān)控
D.電學(xué)設(shè)計規(guī)
最新試題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項(xiàng)選擇題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高，且其封裝外形尺寸較小，寄生參數(shù)減小，故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型：判斷題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
題型：判斷題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題